Апрель 15th, 2013
При U = 100 кВ X = 0,0037 нм, что в 105раз меньше длины волны видимого света.С помощью электромагнитных линзэлектронного микроскопа формируется увеличенноеизображение освещаемого участка,которое создается в основном электронами,упруго (без изменения длины волны) рассеяннымиатомами образца.Главной характеристикой любого методамикроскопии является разрешение т.е. воз58Глава 1.2. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫможность получения раздельного изображенияэлементов структуры, находящихся на предельномалом разрешаемом расстоянии друг отдруга. Эта характеристика определяется природойизлучения (свет, электронный луч ит.д.), взаимодействующего с объектом и несущегоинформацию о нем, и качеством оптическойсистемы конкретного прибора. Аберрации(хроматические и геометрические), а такжедифракция на объекте приводят к размытиюточек или контуров в изображении объекта.В современной световой микроскопии удаетсяпрактически полностью исправить аберрациилинзовых систем объектива и окуляраоднако дифракционное размытие неустранимо,так как обусловлено самой природой света -соотношением длины волны света и размераэлементов структуры объекта: для желто-зеленой части спектра световых лучейX = 0,55 мкм; по теории Аббе при этом разрешаемоерасстояние не может быть менее 0,1…0,2 мкм. Поэтому кардинальное улучшениеразрешающей способности возможно толькопри использовании для освещения объекталучей с существенно более короткой длинойволны, например «быстрых» электронов. Однако,разрешающая способность современныхразрешающая способность современных
