15.04.2013 - туннелирование идет из объекта)

туннелирование идет из объекта). По разностипотенциалов между иглой и образцом определяют,электроны какого энергетического уровняатомов иглы будут туннелировать и на какойэнергетический уровень атомов объекта.Следовательно, при заданной разностипотенциалов туннельный ток определяетсяплотностью электронных состояний материаловиглы и объекта....

15.04.2013 - и при многократном прохождении зонда с шагомсканирования

и при многократном прохождении зонда с шагомсканирования примерно 0,02 нм достигнутьразрешения около 0,03 нм (размеры атомов)в плоскости X Y объекта.Реальное разрешение СТМ зависит отряда факторов, основными из которых являютсявнешние вибрации, акустические шумы икачество приготовления зондов.В обычных (не виброзащищенных) лабораторныхпомещениях при использовании вкачестве зондов платиновых игл легко реализуетсяуровень разрешения в 1 нм по плоскостиX Y и 0,5 нм по высотам рельефа образца....

15.04.2013 - первых, они должны обеспечивать, по возможности,большие

первых, они должны обеспечивать, по возможности,большие перемещения при высокойжесткости устройства, что необходимо длязащиты СТМ от механических вибраций. Поэтомуони должны обладать высокими частотамисобственных механических колебаний,что желательно также и для обеспечения быстродействия.Во-вторых, задаваемые перемещениядолжны быть воспроизводимы и, по возможности,линейно зависеть от управляющегонапряжения....

15.04.2013 - У-двигатели 7, управляющие сканированиемзонда в плоскости

У-двигатели 7, управляющие сканированиемзонда в плоскости X Y объекта. На Z-двигатель7 подается напряжение U z = / ( / т ) обратнойсвязи, и двигатель начинает перемещать зондпо нормали к поверхности объекта до тех пор,пока туннельный ток / т цепи зонд - образецне будет стабилизирован на заданном уровне.Таким образом, изменение U z при сканированииповерхности, т....

15.04.2013 - эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * . ,где т — 9

эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * ....

15.04.2013 - пробое воздушного диэлектрического зазорамежду двумя

пробое воздушного диэлектрического зазорамежду двумя телами.Электрический ток, возникающий призаданных условиях, объясняется туннельнымэффектом и называется туннельным током.На практике явление туннелирования вСТМ реализуется, когда один из проводниковпредставляет собой иглу (зонд) У, а другой- поверхность исследуемого объекта 3(рис....

15.04.2013 - д.Принцип работы сканирующего туннельногомикроскопа

д.Принцип работы сканирующего туннельногомикроскопа для исследованияструктуры поверхности материала или шлифа,основанный на использовании в качестве инструментаизмерения туннельного тока, былсформулирован в начале XX в. после открытияосновных положений квантовой механики....

15.04.2013 - радиационное и вакуумное воздействиена образец, что

радиационное и вакуумное воздействиена образец, что не позволяет изучать некоторыеобъекты (например, жидкие пробы);затруднения при изучении непроводящихобъектов;отсутствие цветного сигнала.РАСТРОВАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ 71а) б)Рис. 1....

15.04.2013 - изучение in situ изменений структурыи состава при

изучение in situ изменений структурыи состава при пластической деформации,усталостных испытаниях, испытаниях на изнашивание,коррозии, термических, электрическихи магнитных воздействиях. Происходящиена поверхности образца изменения регистрируютс помощью ЭЛТ с быстрой разверткойи записывают на видеомагнитофон.Основные преимущества и недостаткиРЭМ....

15.04.2013 - катодолюминесценцию;- фрактография. Благодаря большойглубине

катодолюминесценцию;- фрактография. Благодаря большойглубине фокуса и возможности использованиябольших увеличений, фрактография являетсяважной областью применения РЭМ,позволяя наблюдать и тонкое строение изломов.Главные задачи фрактографи чес когоанализа следующие: контроль качества материала;исследование причин эксплуатационногоразрушения деталей и элементов конструкций;изучение механизма разрушения....