15.04.2013 - разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного

разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного изображениярельефа поверхности;работу не только в вакууме, но и на воздухе.Однако область применения СТМ ограничиваетсяпроводящими объектами. Это ограничениесвязано с использованием эффектатуннелирования электронов для регистрирующего(сенсорного) и управляющего устройств....

15.04.2013 - сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях

сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях, особенно на их раннихстадиях. Этот метод позволяет наряду с изучениемструктуры материала определить химическийсостав локальных зон поверхностногослоя объекта (СТМ-спектроскопия), т.е....

15.04.2013 - битов информации

битов информации. Зонд может использоватьсятакже и как точечный источник электроновдля осуществления электронной литографии,химических или структурных локальныхперестроек поверхности.При записи информации методом электроннойлитографии (нанолитографии) черезострие зонда пропускают кратковременнобольшой силы туннельный ток / т при повышеннойразности потенциалов С/, происходитэмиссия электронов или ионов с острия наповерхность объекта или наоборот, и образуютсяна поверхности ямки или впадины, которыенесут бит информации....

15.04.2013 - твердым телом — оксидной пленкой

твердым телом - оксидной пленкой.При больших толщинах пленки происходит’срыв" туннельного тока. Для большинстваметаллов толщина оксидных пленок начинаетпревышать 10....

15.04.2013 - - химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ

- химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ-спсктроскопия). Для реализацииСТМ-спсктроскопии требуется свести до минимумауровень помех, т.е....

15.04.2013 - туннелирование идет из объекта)

туннелирование идет из объекта). По разностипотенциалов между иглой и образцом определяют,электроны какого энергетического уровняатомов иглы будут туннелировать и на какойэнергетический уровень атомов объекта.Следовательно, при заданной разностипотенциалов туннельный ток определяетсяплотностью электронных состояний материаловиглы и объекта....

15.04.2013 - и при многократном прохождении зонда с шагомсканирования

и при многократном прохождении зонда с шагомсканирования примерно 0,02 нм достигнутьразрешения около 0,03 нм (размеры атомов)в плоскости X Y объекта.Реальное разрешение СТМ зависит отряда факторов, основными из которых являютсявнешние вибрации, акустические шумы икачество приготовления зондов.В обычных (не виброзащищенных) лабораторныхпомещениях при использовании вкачестве зондов платиновых игл легко реализуетсяуровень разрешения в 1 нм по плоскостиX Y и 0,5 нм по высотам рельефа образца....

15.04.2013 - первых, они должны обеспечивать, по возможности,большие

первых, они должны обеспечивать, по возможности,большие перемещения при высокойжесткости устройства, что необходимо длязащиты СТМ от механических вибраций. Поэтомуони должны обладать высокими частотамисобственных механических колебаний,что желательно также и для обеспечения быстродействия.Во-вторых, задаваемые перемещениядолжны быть воспроизводимы и, по возможности,линейно зависеть от управляющегонапряжения....

15.04.2013 - У-двигатели 7, управляющие сканированиемзонда в плоскости

У-двигатели 7, управляющие сканированиемзонда в плоскости X Y объекта. На Z-двигатель7 подается напряжение U z = / ( / т ) обратнойсвязи, и двигатель начинает перемещать зондпо нормали к поверхности объекта до тех пор,пока туннельный ток / т цепи зонд - образецне будет стабилизирован на заданном уровне.Таким образом, изменение U z при сканированииповерхности, т....

15.04.2013 - эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * . ,где т — 9

эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * ....