15.04.2013 - Для кубической сингонииdhklдля гексагональной сингонииПлоскости

Для кубической сингонииdhklдля гексагональной сингонииПлоскости (hkl), имеющие одинаковыемежплоскостные расстояния, но различно ориентированныев пространстве, принадлежат кодной совокупности плоскостей hkl.При нахождении индексов направлениянеобходимо учитывать, что все параллельныемежду собой направления в решетке считаютсякристаллографически идентичными. Подиндексами данного направления понимают трицелых взаимно простых числа и, v, w, пропорциональныхкоординатам любого узла, лежащегона направлении, проходящем через...

15.04.2013 - оси которой X, Y и Z совпадают соответственнос векторами

оси которой X, Y и Z совпадают соответственнос векторами а, b и с. Тогда любой узелрешетки может быть охарактеризован векторомR„= //7j а + т 2Ь + /773с. Три числа т \, т 2 и w 3называют координатами узла....

15.04.2013 - решетка, представляющая собой трехмернуюпериодически

решетка, представляющая собой трехмернуюпериодически повторяющуюся системуточек (узлов решетки), совпадающих с центрамимасс ионов, которая характеризуется вопределенной системе координат шестью величинами:тремя некомпланарными осевымитрансляциями (периодами решетки) я, Ь, с итремя углами а , р, у между ними (рис. 1.2....

15.04.2013 - равным диаметру одного атома; магнитнаяструктура поверхности

равным диаметру одного атома; магнитнаяструктура поверхности ферромагнетика с минимальнымразмером, равным размеру магнитногодомена; неоднородность потенциалаили заряда.1.2....

15.04.2013 - микроскопа измеряется изменение емкости до10“22 Ф

микроскопа измеряется изменение емкости до10“22 Ф с полосой пропускания 1 Гц. Микроскоппозволяет изучать изменение потенциалавдоль поверхности образца бесконтактнымметодом.Световой микроскоп ближнего поля....

15.04.2013 - разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного

разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного изображениярельефа поверхности;работу не только в вакууме, но и на воздухе.Однако область применения СТМ ограничиваетсяпроводящими объектами. Это ограничениесвязано с использованием эффектатуннелирования электронов для регистрирующего(сенсорного) и управляющего устройств....

15.04.2013 - сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях

сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях, особенно на их раннихстадиях. Этот метод позволяет наряду с изучениемструктуры материала определить химическийсостав локальных зон поверхностногослоя объекта (СТМ-спектроскопия), т.е....

15.04.2013 - битов информации

битов информации. Зонд может использоватьсятакже и как точечный источник электроновдля осуществления электронной литографии,химических или структурных локальныхперестроек поверхности.При записи информации методом электроннойлитографии (нанолитографии) черезострие зонда пропускают кратковременнобольшой силы туннельный ток / т при повышеннойразности потенциалов С/, происходитэмиссия электронов или ионов с острия наповерхность объекта или наоборот, и образуютсяна поверхности ямки или впадины, которыенесут бит информации....

15.04.2013 - твердым телом — оксидной пленкой

твердым телом - оксидной пленкой.При больших толщинах пленки происходит’срыв" туннельного тока. Для большинстваметаллов толщина оксидных пленок начинаетпревышать 10....

15.04.2013 - - химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ

- химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ-спсктроскопия). Для реализацииСТМ-спсктроскопии требуется свести до минимумауровень помех, т.е....