15.04.2013 - генератором сканирования
генератором сканирования. Таким образом,точка экрана ЭЛТ соответствует определеннойточке площади, обегаемой зондом на объекте.Яркость свечения ЭЛТ в каждой точкемодулируется усиленным сигналом детектора....
15.04.2013 - приближается к световой микроскопии,хотя первые промышленно
приближается к световой микроскопии,хотя первые промышленно изготовленныерастровые электронные микроскопы появилисьтолько в 60-е годы XX в.Принцип работы растрового электронногомикроскопа (РЭМ) . РЭМ имеетэлектронно-оптическую систему, состоящую,как и в просвечивающем электронном микроскопе(ПЭМ), из электронной пушки и несколькихэлектромагнитных линз....
15.04.2013 - и старения при 550 °С, 1,5 ч. Изображение одного и
и старения при 550 °С, 1,5 ч. Изображение одного и того же места при х22 ООО (а) и х45 ООО (б). Частицыгексагональной фазы №зТ1 (более крупные) видны в основном благодаря ориентационному контрасту,а мелкие частицы выделения кубической фазы N13T1 (сверхрешетка) - благодарядифракционному контрастуанализ фазовых превращений непосред- ния (мартенситные превращения, старение,ствснно при наблюдении в микроскопе в про- кристаллизация аморфных сплавов, рекри-цессе нагрева (охлаждения) или деформирова- сталлизация и др....
15.04.2013 - строения (границ зерен и дислокаций)с примесями, выявление
строения (границ зерен и дислокаций)с примесями, выявление расщеплениядислокаций (образование дефектов упаковки),образование атмосфер и частиц выделенийна дислокациях и т.п. (рис....
15.04.2013 - сталь, алмазный инструмент)
сталь, алмазный инструмент). Так изучаютсрезы синтетических волокон, минералов,пористых катализаторов. Для металлов этотметод мало пригоден из-за их высокой пластичностии искажений вследствие этого структурыв результате деформирования при резке;тонкие фольги металлов, полупроводникови других материалов получают утонениемобразцов методами, не оказывающими влиянияна структуру материала....
15.04.2013 - дифракционных методик и анализаэлементного состава
дифракционных методик и анализаэлементного состава в самых малых объемахобразца настолько велики, что метод репликприменяется в тех случаях, когда возникаютбольшие трудности подготовки прозрачногодля электронов объекта.Подготовка объектов для прямого исследования:порошки подвергают диспергированию инаносят на предметную сетку, предварительнопокрытую пленкой-подложкой, либо осаждениемсухого порошка, находящегося во взвешенномсостоянии в воздухе, либо осаждениемиз суспензии. В качестве жидкости для суспензииобычно используют...
15.04.2013 - толщина объекта должна быть очень малой.Например,
толщина объекта должна быть очень малой.Например, для веществ, состоящих из элементовПериодической системы с Z = 25.....
15.04.2013 - при изменении фокусного расстоянияпромежуточной линзы
при изменении фокусного расстоянияпромежуточной линзы (от f до f i )уменьшением силы тока в обмотке линзы ивыведении апертурной диафрагмы. В режименаблюдения микроскопического изображения"в светлом поле" апертурная диафрагма устанавливаетсятак, чтобы пропустить прямойпучок и отсечь дифрагированные лучи (см.рис....
15.04.2013 - фокальной плоскости объективнойлинзы, рассеивается
фокальной плоскости объективнойлинзы, рассеивается на нем (см. рис. 1....
15.04.2013 - трехэлектродную электростатическую линзу,фокусирующее
трехэлектродную электростатическую линзу,фокусирующее действие которой имеет своимоптическим аналогом комбинацию собирательнойи рассеивающей линз, а назначением являетсясоздание слабо расходящегося пучка быстрыхэлектронов с одинаковой энергиейЕ = eU , где е - заряд электрона.Двухлинзовый конденсор 2 и линзы собственномикроскопа (объективная линза 5,промежуточная линза 8 и проекционная линза9) являются электромагнитными. Каждая излинз образует отдельный узел с электрическимпитанием соленоида и системой водяного охлаждения....
