10.05.2013 - несмотря на его высокую чувствительность
несмотря на его высокую чувствительность.Этот метод позволяет обнаруживатьследы остаточных газов в камере спектрометраСО и Н, в то время как ОЭС не в состояниинепосредственно определять содержание водорода.В большинстве случаев подлежат диагностикесложные группы, включающие С, Н,О, F на поверхности различных материалов....
10.05.2013 - Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери
Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери энергии рассеянных электронов(EELFS), в том числе Оже-электронов(EELFAS), является новейшим и развивающимсяметодом исследования пространственногораспределения атомов различного сортана поверхности. Он позволяет определить нетолько сорт атомов, но и длины химическихсвязей в ближайшем атомном окружении наповерхности в пределах нескольких координационныхсфер. Этот метод по праву конкурируетс дифракционными, поскольку позволяетв слоях толщиной в несколько десятков ангстремопределить...
10.05.2013 - линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице
линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице.Изменение зарядового состояния атомовпри образовании химических связей приводитк смещению линий на электронных спектрах.Перераспределение электронной плотности взависимости от донорно-акцепторных свойствкомпонентов в химическом соединении определяетвеличины и знак химических сдвиговлиний на электронных спектрах....
10.05.2013 - пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода
пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода Оже-электронов, проводятсяпо специальным алгоритмам.Методы, используемые для послойногоанализа поверхности, зависят от того, являютсяли интересующие нас глубины сопоставимымиили существенно большими длины свободногопробега электронов, измеряемой отдесятков до сотен ангстрем. В первом случаенеобходимо учитывать экспоненциальныйхарактер ослабления интенсивности сигнала отглубины, что повышает точность определенияконцентрации элементов в тонких пленках....
10.05.2013 - другими методами анализа химического состава.Основное
другими методами анализа химического состава.Основное и неоспоримое преимуществоуказанного метода над другими - в его высокойобъемной чувствительности. Метод ОЭС,как и многие методы электронной спектроскопии,позволяет анализировать тончайшие слоина поверхности материалов толщиной в несколькоатомов, что недоступно другим методамхимического, радиоизотопного и спектральногоанализа....
10.05.2013 - уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается
уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается в случае четырехкратногопревышения энергии первичныхэлектронов над энергией связи в атоме. Наэлектронных спектрах наблюдается несколькосерий Ожс-линий. AXL-линии обнаруживаютсядля элементов, начиная с В ....
10.05.2013 - покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных
покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных переходов. Приионизации атома электрон может перейти вневозбужденное состояние без испусканиякванта рентгеновского излучения вследствиеперехода электрона с более высоколежащегоэнергетического уровня на образовавшуюсявакансию с выбросом Оже-электрона.На рис....
10.05.2013 - для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет
для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет исследовать состояние электроновне только валентных, но и остовных уровнейпри образовании химических связей.Спектроскопия Оже-электронов (ОЭС).Спектроскопию Оже-электронов применяютдля исследования микронеоднородностей химическогосостава и распределения элементовна поверхности, а также для получения информациио химическом состоянии этих элементов....
10.05.2013 - соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается
соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается хорошая корреляциямежду химическими сдвигами и теплотойобразования химических соединений. Представленияо химическом сдвиге широко используютсяпри исследовании хемосорбции наповерхности различных металлов и сплавов....
10.05.2013 - изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с
изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с этой величиной для валентныхэлектронов (до 20 %). Однако абсолютныезначения этих изменений часто сопоставимы иоказываются даже больше для внутреннихэлектронов и могут быть зарегистрированы нафотоэлектронных спектрах.Химический сдвиг определяется как изменениеэнергии связи электронов в определенномсостоянии по сравнению со свободныматомом или чистым компонентом:Е СВ= Е ( М ) - Е ( А ) , (8 ....