10.05.2013 - он доказал свои неоспоримые преимуществапри исследовании

он доказал свои неоспоримые преимуществапри исследовании чистых металлов,аморфных сплавов, химических соединений,сегрегационных явлений.8.2....

10.05.2013 - атомном окружении и при определенныхусловиях существования

атомном окружении и при определенныхусловиях существования их волн в кристаллическойрешетке, появляется возможность резонансаи антирсзонанса, связанного с модуляциейамплитуды волновой функции в даннойточке пространства, в частности, в вакуумеили детекторе. Эти условия определяютсядлиной волны электрона (его энергией) и расстояниемот центра эмиссии до центра рассеяния(межатомным расстоянием в ближайшемокружении). Как результат, интенсивностьэлектронного спектра модулируется....

10.05.2013 - от окружающих атомов.На электронном спектре вблизи

от окружающих атомов.На электронном спектре вблизи линийупругорассеянных электронов, фото- илиОже-электронов с низкоэнергетической сторонынаблюдается протяженный фон. Этот фонвозникает в результате множественного рассеянияэлектронов, вышедших из глубиныповерхностных объемов образца....

10.05.2013 - несмотря на его высокую чувствительность

несмотря на его высокую чувствительность.Этот метод позволяет обнаруживатьследы остаточных газов в камере спектрометраСО и Н, в то время как ОЭС не в состояниинепосредственно определять содержание водорода.В большинстве случаев подлежат диагностикесложные группы, включающие С, Н,О, F на поверхности различных материалов....

10.05.2013 - Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери

Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери энергии рассеянных электронов(EELFS), в том числе Оже-электронов(EELFAS), является новейшим и развивающимсяметодом исследования пространственногораспределения атомов различного сортана поверхности. Он позволяет определить нетолько сорт атомов, но и длины химическихсвязей в ближайшем атомном окружении наповерхности в пределах нескольких координационныхсфер. Этот метод по праву конкурируетс дифракционными, поскольку позволяетв слоях толщиной в несколько десятков ангстремопределить...

10.05.2013 - линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице

линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице.Изменение зарядового состояния атомовпри образовании химических связей приводитк смещению линий на электронных спектрах.Перераспределение электронной плотности взависимости от донорно-акцепторных свойствкомпонентов в химическом соединении определяетвеличины и знак химических сдвиговлиний на электронных спектрах....

10.05.2013 - пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода

пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода Оже-электронов, проводятсяпо специальным алгоритмам.Методы, используемые для послойногоанализа поверхности, зависят от того, являютсяли интересующие нас глубины сопоставимымиили существенно большими длины свободногопробега электронов, измеряемой отдесятков до сотен ангстрем. В первом случаенеобходимо учитывать экспоненциальныйхарактер ослабления интенсивности сигнала отглубины, что повышает точность определенияконцентрации элементов в тонких пленках....

10.05.2013 - другими методами анализа химического состава.Основное

другими методами анализа химического состава.Основное и неоспоримое преимуществоуказанного метода над другими - в его высокойобъемной чувствительности. Метод ОЭС,как и многие методы электронной спектроскопии,позволяет анализировать тончайшие слоина поверхности материалов толщиной в несколькоатомов, что недоступно другим методамхимического, радиоизотопного и спектральногоанализа....

10.05.2013 - уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается

уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается в случае четырехкратногопревышения энергии первичныхэлектронов над энергией связи в атоме. Наэлектронных спектрах наблюдается несколькосерий Ожс-линий. AXL-линии обнаруживаютсядля элементов, начиная с В ....

10.05.2013 - покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных

покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных переходов. Приионизации атома электрон может перейти вневозбужденное состояние без испусканиякванта рентгеновского излучения вследствиеперехода электрона с более высоколежащегоэнергетического уровня на образовавшуюсявакансию с выбросом Оже-электрона.На рис....