10.05.2013 - масштабного уровня
масштабного уровня. Однако нижняяграница величин анализируемого параметрарельефа составляет 2 .....
10.05.2013 - доминируя по всему излому; характеризуютнаиболее интенсивно
доминируя по всему излому; характеризуютнаиболее интенсивно реализованные переходныепроцессы при перегрузке (группе перегрузок)или длительной разгрузке с низкоамплитуднымнагружением, при переходе к нагружениюс резко отличающимся коэффициентомасимметрии цикла.Масштаб рассмотрения мезолинии - от1 0 0 крат и выше; может быть реализован сприменением светового, но наиболее эффективно- растрового электронного микроскопа.Мезолинии формируются отдельно в пределахтех фасеток, где наблюдают усталостные бороздки....
10.05.2013 - нагружения
нагружения. В то же время в ряде случаевразличным условиям нагружения может соответствоватьодно и то же строение изломов сблизкими параметрами рельефа и, наоборот,при одних и тех же условиях нагружения дляразных материалов могут быть получены разныестроения изломов.При исследовании изломов поврежденныхэлементов конструкций необходимо рассматриватьсовместно результаты количественнойи качественной оценки строения излома,данные по реальным структуре и свойствамметалла, данные анализа проектной, конструкторскойи эксплуатационной...
10.05.2013 - он доказал свои неоспоримые преимуществапри исследовании
он доказал свои неоспоримые преимуществапри исследовании чистых металлов,аморфных сплавов, химических соединений,сегрегационных явлений.8.2....
10.05.2013 - атомном окружении и при определенныхусловиях существования
атомном окружении и при определенныхусловиях существования их волн в кристаллическойрешетке, появляется возможность резонансаи антирсзонанса, связанного с модуляциейамплитуды волновой функции в даннойточке пространства, в частности, в вакуумеили детекторе. Эти условия определяютсядлиной волны электрона (его энергией) и расстояниемот центра эмиссии до центра рассеяния(межатомным расстоянием в ближайшемокружении). Как результат, интенсивностьэлектронного спектра модулируется....
10.05.2013 - от окружающих атомов.На электронном спектре вблизи
от окружающих атомов.На электронном спектре вблизи линийупругорассеянных электронов, фото- илиОже-электронов с низкоэнергетической сторонынаблюдается протяженный фон. Этот фонвозникает в результате множественного рассеянияэлектронов, вышедших из глубиныповерхностных объемов образца....
10.05.2013 - несмотря на его высокую чувствительность
несмотря на его высокую чувствительность.Этот метод позволяет обнаруживатьследы остаточных газов в камере спектрометраСО и Н, в то время как ОЭС не в состояниинепосредственно определять содержание водорода.В большинстве случаев подлежат диагностикесложные группы, включающие С, Н,О, F на поверхности различных материалов....
10.05.2013 - Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери
Анализ протяженной тонкой структуры спектровпотери энергии рассеянных электронов(EELFS), в том числе Оже-электронов(EELFAS), является новейшим и развивающимсяметодом исследования пространственногораспределения атомов различного сортана поверхности. Он позволяет определить нетолько сорт атомов, но и длины химическихсвязей в ближайшем атомном окружении наповерхности в пределах нескольких координационныхсфер. Этот метод по праву конкурируетс дифракционными, поскольку позволяетв слоях толщиной в несколько десятков ангстремопределить...
10.05.2013 - линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице
линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице.Изменение зарядового состояния атомовпри образовании химических связей приводитк смещению линий на электронных спектрах.Перераспределение электронной плотности взависимости от донорно-акцепторных свойствкомпонентов в химическом соединении определяетвеличины и знак химических сдвиговлиний на электронных спектрах....
10.05.2013 - пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода
пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода Оже-электронов, проводятсяпо специальным алгоритмам.Методы, используемые для послойногоанализа поверхности, зависят от того, являютсяли интересующие нас глубины сопоставимымиили существенно большими длины свободногопробега электронов, измеряемой отдесятков до сотен ангстрем. В первом случаенеобходимо учитывать экспоненциальныйхарактер ослабления интенсивности сигнала отглубины, что повышает точность определенияконцентрации элементов в тонких пленках....