10.05.2013 - линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице

линии, обусловленные плазмонными потерямив матрице.Изменение зарядового состояния атомовпри образовании химических связей приводитк смещению линий на электронных спектрах.Перераспределение электронной плотности взависимости от донорно-акцепторных свойствкомпонентов в химическом соединении определяетвеличины и знак химических сдвиговлиний на электронных спектрах....

10.05.2013 - пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода

пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода Оже-электронов, проводятсяпо специальным алгоритмам.Методы, используемые для послойногоанализа поверхности, зависят от того, являютсяли интересующие нас глубины сопоставимымиили существенно большими длины свободногопробега электронов, измеряемой отдесятков до сотен ангстрем. В первом случаенеобходимо учитывать экспоненциальныйхарактер ослабления интенсивности сигнала отглубины, что повышает точность определенияконцентрации элементов в тонких пленках....

10.05.2013 - другими методами анализа химического состава.Основное

другими методами анализа химического состава.Основное и неоспоримое преимуществоуказанного метода над другими - в его высокойобъемной чувствительности. Метод ОЭС,как и многие методы электронной спектроскопии,позволяет анализировать тончайшие слоина поверхности материалов толщиной в несколькоатомов, что недоступно другим методамхимического, радиоизотопного и спектральногоанализа....

10.05.2013 - уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается

уровней атомов под действием потокаэлектронов наблюдается в случае четырехкратногопревышения энергии первичныхэлектронов над энергией связи в атоме. Наэлектронных спектрах наблюдается несколькосерий Ожс-линий. AXL-линии обнаруживаютсядля элементов, начиная с В ....

10.05.2013 - покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных

покидает образец в результате безра-диационных межорбитальных переходов. Приионизации атома электрон может перейти вневозбужденное состояние без испусканиякванта рентгеновского излучения вследствиеперехода электрона с более высоколежащегоэнергетического уровня на образовавшуюсявакансию с выбросом Оже-электрона.На рис....

10.05.2013 - для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет

для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет исследовать состояние электроновне только валентных, но и остовных уровнейпри образовании химических связей.Спектроскопия Оже-электронов (ОЭС).Спектроскопию Оже-электронов применяютдля исследования микронеоднородностей химическогосостава и распределения элементовна поверхности, а также для получения информациио химическом состоянии этих элементов....

10.05.2013 - соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается

соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается хорошая корреляциямежду химическими сдвигами и теплотойобразования химических соединений. Представленияо химическом сдвиге широко используютсяпри исследовании хемосорбции наповерхности различных металлов и сплавов....

10.05.2013 - изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с

изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с этой величиной для валентныхэлектронов (до 20 %). Однако абсолютныезначения этих изменений часто сопоставимы иоказываются даже больше для внутреннихэлектронов и могут быть зарегистрированы нафотоэлектронных спектрах.Химический сдвиг определяется как изменениеэнергии связи электронов в определенномсостоянии по сравнению со свободныматомом или чистым компонентом:Е СВ= Е ( М ) - Е ( А ) , (8 ....

10.05.2013 - нсспарснным электроном со спином ±1 /2 .В результате

нсспарснным электроном со спином ±1 /2 .В результате может возникнуть спин-орби-тальное взаимодействие с образованием двухионизированных состояний с / = 3/2 и / = 1/2.Эти состояния обладают различными энергиями,и полоса в электронном спектре, отражающаятакую ионизацию, представляет собойдублет....

10.05.2013 - По этой причине в случае рентгеноэлектроннойспектроскопии

По этой причине в случае рентгеноэлектроннойспектроскопии ионное травлениеприменяют с осторожностью, используя другиеприемы, например методику угловых зависимостейили учета упругого и неупругогорассеяния. Последний метод позволяет рассчитатьглубину залегания сегрегации под поверхностьюобразца на основании одногоэлектронного спектра. Для этого определяютотношение интегральной интенсивности характеристическойлинии и фона вблизи нее исопоставляют эту величину с полученной длясплава гомогенного состава....