10.05.2013 - для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет
для чистых веществ и их химических соединенийпозволяет исследовать состояние электроновне только валентных, но и остовных уровнейпри образовании химических связей.Спектроскопия Оже-электронов (ОЭС).Спектроскопию Оже-электронов применяютдля исследования микронеоднородностей химическогосостава и распределения элементовна поверхности, а также для получения информациио химическом состоянии этих элементов....
10.05.2013 - соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается
соединениях по сравнению с чистымэлементом. Наблюдается хорошая корреляциямежду химическими сдвигами и теплотойобразования химических соединений. Представленияо химическом сдвиге широко используютсяпри исследовании хемосорбции наповерхности различных металлов и сплавов....
10.05.2013 - изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с
изменения окружения малы (менее 5 %) посравнению с этой величиной для валентныхэлектронов (до 20 %). Однако абсолютныезначения этих изменений часто сопоставимы иоказываются даже больше для внутреннихэлектронов и могут быть зарегистрированы нафотоэлектронных спектрах.Химический сдвиг определяется как изменениеэнергии связи электронов в определенномсостоянии по сравнению со свободныматомом или чистым компонентом:Е СВ= Е ( М ) - Е ( А ) , (8 ....
10.05.2013 - нсспарснным электроном со спином ±1 /2 .В результате
нсспарснным электроном со спином ±1 /2 .В результате может возникнуть спин-орби-тальное взаимодействие с образованием двухионизированных состояний с / = 3/2 и / = 1/2.Эти состояния обладают различными энергиями,и полоса в электронном спектре, отражающаятакую ионизацию, представляет собойдублет....
10.05.2013 - По этой причине в случае рентгеноэлектроннойспектроскопии
По этой причине в случае рентгеноэлектроннойспектроскопии ионное травлениеприменяют с осторожностью, используя другиеприемы, например методику угловых зависимостейили учета упругого и неупругогорассеяния. Последний метод позволяет рассчитатьглубину залегания сегрегации под поверхностьюобразца на основании одногоэлектронного спектра. Для этого определяютотношение интегральной интенсивности характеристическойлинии и фона вблизи нее исопоставляют эту величину с полученной длясплава гомогенного состава....
10.05.2013 - гетерогенных материалов с ошибкой менее1 %
гетерогенных материалов с ошибкой менее1 %. Существуют специальные приемы, которыепозволяют успешно применять РФС в качественеразрушающего метода для количественногоанализа химического состава гомогенныхобразцов. Данные о химическом составе получают,сопоставляя интенсивности характеристическихлиний каждого элемента, используяэталоны чистых веществ, градуировочные графики,вводя поправки на упругое рассеяние ипоглощение....
10.05.2013 - излучения с энергией квантов порядка1486,6 и 1253
излучения с энергией квантов порядка1486,6 и 1253,6 эВ для А1- или Mg-излучсния.ЭЛЕКТРОННАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ДЛЯ Ф РАКТОГРАФ ИЧЕСКИХ ИССЛЕДОВАНИЙ 769Этот процесс представляет собой фотоэффект:поглощение кванта первичного излучения ииспускание одного фотоэлектрона. Электронныйспектр дает информацию об основныхуровнях в атомах и валентной зоне....
10.05.2013 - Оборудование, которое используется дляэлектронной
Оборудование, которое используется дляэлектронной спектроскопии, представляетсобой сложные высоковакуумные системы,оснащенные управляющей и анализирующейэлектронной аппаратурой и снабженные модулямидля компьютерного управления и обработкиэкспериментальных данных. Обычноеразрежение в рабочей камере спектрометрасоставляет 10" 8 Па. Основными фирмами-изго-товителями приборов для электронной спектроскопииявляются: VG scientific - Fisonsinstruments (Англия); Phisical Electronics(США); Riber (Франция)....
10.05.2013 - высоким пространственным разрешением.Все методы электронной
высоким пространственным разрешением.Все методы электронной спектроскопииможно разделить на две группы. К первойгруппе относятся тс, в которых на поверхностьисследуемых образцов направляетсясфокусированный поток электронов, которыечастично упруго рассеиваются, а частичновозбуждают эмиссию вторичных электронов....
10.05.2013 - с рснтгеноспектральным анализом
с рснтгеноспектральным анализом. Приисследовании микронеоднородностей в объемахтолщиной порядка 1 мкм наиболее приемлемыманализом является рентгеноспектральный.Для изучения более тонких поверхностныхслоев толщиной порядка десятков и сотенангстрем целесообразно использовать фотоэлектроннуюи Оже-спектроскопию....
