18.06.2013 - Д. Механизмы пиннингаВозможны различные подходы к
Д. Механизмы пиннингаВозможны различные подходы к моделированию пиннинга в зависимости от того, рассматриваются ли флюксоиды в сверхпроводнике как отдельные нити или как достаточно жесткая решетка. Абсолютно жесткая решетка не может быть закрепленной, так как смещение на один период решетки не приводит к изменению энергии [50]....
18.06.2013 - Дефекты могут иметь: более высокие сверхпроводящие
Дефекты могут иметь: более высокие сверхпроводящие свойства (т. е. более высокие Тс и Яс), чем матрица; значения х, незначительно отличающиеся от величины х для матрицы; более низкие сверхпроводящие параметры, а также могут быть несверхпроводящими или даже ферромагнитными....
18.06.2013 - Подобно тому как дефекты кристаллической решетки классифицируются
Подобно тому как дефекты кристаллической решетки классифицируются по протяженности, сравниваемой с межатомными расстояниями, сверхпроводящие неоднородности можно также различать, сравнивая их протяженность с расстоянием между флюксоидами d [48, 49].К точечным дефектам с размерами, большими d, относятся небольшие частицы второй фазы, мелкие поры и скопления кристаллических дефектов, подобных кластерам, образующимся при облучении частицами с высокими энергиями. Размер точечного дефекта допускает его взаимодействие одновременно только с...
18.06.2013 - в котором температурная зависимость пиннинга учтена
в котором температурная зависимость пиннинга учтена зависимостью #с2 от температуры. Зависимости с от h для всех температур обычно ложатся на одну кривую с характерной формой для каждого вида пиннинга.В следующем разделе систематизированы результаты, которые характеризуют микроструктурные особенности, ответственные за сильное пиннинговое взаимодействие....
18.06.2013 - В. Критическое состояниеВ критическом состоянии, для
В. Критическое состояниеВ критическом состоянии, для которого предполагается, что локальная плотность тока равна критической плотности тока Jc или нулю, флюксоиды должны находиться в равновесии в любой точке внутри сверхпроводника. Любой силе, стремящейся сдвинуть флюксоид, всегда противодействует сила пиннинга....
18.06.2013 - Отсюда следует, что р[#С2(0)] = ФоМо#р2(0)г1 — что
Отсюда следует, что р[#С2(0)] = ФоМо#р2(0)г1 — что совпадает с уравнением (11), если коэффициент вязкости равен t] = фооЯС2(0)р. При движении флюксоидов сверхпроводник ведет себя так, как если бы плотность тока была равномерно распределена по его сечению, а сопротивление создавалось только сердцевинами флюксоидов. Причина вязкого сопротивления при движении флюксоидов еще не совсем ясна, но, по-видимому, его появление связано с омической диссипацией энергии в сердцевинах флюксоидов....
18.06.2013 - 2. С ростом поле увеличивается линейно (как и в случае
2. С ростом поле увеличивается линейно (как и в случае закона Ома), т. е....
18.06.2013 - Меняя направления поля, можно описать полную магнитную
Меняя направления поля, можно описать полную магнитную гистерезисную петлю. Площадь такой петли растет с увеличением пиннинга, и ее можно непосредственно связать с величиной критического тока материала. Гистерезисные петли и кривые критического тока для материалов с возрастающим числом центров пиннинга схематически изображены на рис....
18.06.2013 - Критическая плотность тока определяется величиной
Критическая плотность тока определяется величиной силы пиннинга*с X Фо = ~ рр () (на единицу длины флюксоида)или (9)J,XB = — Fp(v) (на единицу объема сверхпроводника).Пиннинг обусловлен дефектами кристаллической решетки, такими, как дислокации, обнаруженные в холоднодеформиро-ванных материалах, примеси и .выделения второй фазы....
18.06.2013 - Критические токи сверхпроводников 2-го рода в полях
Критические токи сверхпроводников 2-го рода в полях выше #с, существенно ниже, чем можно было бы ожидать, подставляя Нс2 в правило Силсби, а зависимости критического тока от приложенного поля могут быть очень сложными.При протекании тока по сверхпроводнику 2-го рода, находящемуся в смешанном состоянии, на флюксоиды действует сила Лоренца FL, определяемая соотношениямиFL Ы = J X В (на единицу объема сверхпроводника),где J — плотность тока, < ро — вектор, направленный по касательной к флюксоиду, а В—плотность магнитного потока (равная...
