15.04.2013 - массой 1012 г), погрешность ее при определениифазового

массой 10“12 г), погрешность ее при определениифазового состава не менее погрешностирентгенографии и равна 1......

15.04.2013 - центральной части дифракционной картиныприменять меньшую

центральной части дифракционной картиныприменять меньшую экспозицию, чем для периферийной,и обе части снимать раздельно.Для более точного определения применяютсчетчики и фотоумножители с приспособлениямидля ослабления фона.Фазовый анализ заканчивается сопоставлениемвычисленных значений мсжплоскост-ных расстояний d hkl с табличными для предполагаемогосоединения....

15.04.2013 - ное расстояние эталонного вещества, нм

ное расстояние эталонного вещества, нм.Затем измеряют диаметры дифракционныхколец на элсктронограммах (от образцов ввиде тонких пленок и слоев) или радиусы этих92 Глава 1.2....

15.04.2013 - Расчет электронограмм

1.2.55, а - г ....

15.04.2013 - Для достижения наилучшей разрешающейспособности пучок

Для достижения наилучшей разрешающейспособности пучок электронов фокусируютв точку в плоскости фотографическойпластинки или экрана, используя электромагнитныелинзы. Режим работы элсктронографаизменяют увеличением или уменьшением силытока в фокусирующих электромагнитныхлинзах. Элсктронограф может работать и какэлектронный микроскоп, позволяя получатьтеневые электронно-оптические изображения врасходящемся пучке....

15.04.2013 - обычно применяемом напряжении (50

обычно применяемом напряжении (50......

15.04.2013 - вида

вида (1.2.28) рассчитать толщину h из(1....

15.04.2013 - толщину тонкого покрытия ( h *« 1 0 _,

толщину тонкого покрытия ( h *« 1 0 _,......

15.04.2013 - покрытием толщиной h по сравнению с интенсивностьютого

покрытием толщиной h по сравнению с интенсивностьютого же рефлекса от подложки безпокрытия ( I hkl ):Маркастали А С п35 0,044 0,029 1,740Х 0,070 0,012 1,740ХН 0,055 0,029 1,5РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ 89где ц п - линейный коэффициент ослаблениямонохроматического излучения в покрытии;h - толщина покрытия; к = (l/sin а + l/sin 8) -геометрический параметр. Варьируя угол а(или 8, так как а + 8 = 20 ), можно добитьсятого, чтобы интенсивность отражения H KL отподложки стала равной интенсивности фона.Пусть это произошло при а = а 0 • Тогда:А = 3 / ( и Л ) ....

15.04.2013 - холодной высадке крепежных деталей к бракув виде V

холодной высадке крепежных деталей к бракув виде V-образных надрывов, трещин на головкахболтов или недопустимо большомуизносу высадочного инструмента.Определение толщины покрытий. Нанесениепокрытий на детали - один из наиболееэффективных путей повышения их эксплуатационныхсвойств....