Апрель 15th, 2013
туннелирование идет из объекта). По разностипотенциалов между иглой и образцом определяют,электроны какого энергетического уровняатомов иглы будут туннелировать и на какойэнергетический уровень атомов объекта.Следовательно, при заданной разностипотенциалов туннельный ток определяетсяплотностью электронных состояний материаловиглы и объекта. Изменяя разность потенциалови измеряя одновременно силу туннельноготока, можно определить плотность электроновна различных энергетических уровнях.С этой целью после фиксации зонда надопределенной точкой поверхности с заданнойсилой туннельного тока быстро меняют напряжение(развертку), приложенное междуобъектом и зондом в заданном диапазоне, втом числе с переходом из одной полярности вдругую. При этом измеряют силу туннельноготока и строят вольт-амперную характеристикутуннельного перехода / т =J[U). На самом делеигла вибрирует с какой-то амплитудой и частотойотносительно объекта вследствие действияна головку микроскопа внешних вибраций.Поэтому для уменьшения погрешностей приснятии вольт-амперной характеристики необходимавысокая быстрота развертки.Характер изменения зависимости / т =- fiJJ) и величина d l T/d U позволяют найтираспределение энергетических уровней электроновс атомарным разрешением. Это даетвозможность судить о типе проводимости, вчастности для полупроводников, установитьвалентную зону, зону проводимости, примеснуюзону. Кроме того, можно определить химическийтип связи между атомами поверхностиобъекта и, что наиболее практически важно,объекта и, что наиболее практически важно,
