Апрель 15th, 2013
твердым телом — оксидной пленкой.При больших толщинах пленки происходит’срыв» туннельного тока. Для большинстваметаллов толщина оксидных пленок начинаетпревышать 10...20 нм через 10…30 минпосле очистки поверхности, поэтому рекомендуетсяисследовать образцы на СТМ сразу жепосле их подготовки.Требования к размерам исследуемыхобъектов определяются конструкциями головкиСТМ и держателя образцов.76 Глава 1.2. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫОбласти использования сканирующейтуннельной микроскопии:1) физика и химия поверхности на атомномуровне. С помощью туннельной микроскопииудалось осуществить реконструкциюатомного строения поверхности многих материалов.СТМ позволяет получать спектр электронныхсостояний с атомным разрешением иопределять химический состав поверхностногослоя, распределение потенциалов при протеканиитока через образец и т.д.;2) нанометрия — исследования с наномет-ровым разрешением шероховатости поверхностиобразца, что чрезвычайно важно для оценкикачества прецизионной обработки;3) нанотехнология — исследования, изготовлениеи контроль приборных структур вмикроэлектронике. На основе СТМ, в частности,возможны запись и воспроизведение информации.При записи используют эффектлокального воздействия зонда на поверхностьносителя информации. Это воздействие можетбыть механическим, создающим на поверхностиискусственный рельеф в виде ямок — битовпамяти. Искусственный рельеф может создаватьсяи путем термодесорбции. В этом случаезонд служит носителем материала для создания
