Апрель 15th, 2013
битов информации. Зонд может использоватьсятакже и как точечный источник электроновдля осуществления электронной литографии,химических или структурных локальныхперестроек поверхности.При записи информации методом электроннойлитографии (нанолитографии) черезострие зонда пропускают кратковременнобольшой силы туннельный ток / т при повышеннойразности потенциалов С/, происходитэмиссия электронов или ионов с острия наповерхность объекта или наоборот, и образуютсяна поверхности ямки или впадины, которыенесут бит информации. Плотность записидостигает 1012 бит/см2. Для сравнения: плотностьзаписи на современном накопителе информации,где использован магнитный эффект(магнитные диски), составляет 107 бит/см2, прилазерном воздействии — 109 бит/см2;4) материаловедение — при изучениимикро-, суб- и нанокристалл и чес ких структурразличных материалов. Объектами для исследованияструктуры материалов на СТМ могутбыть, как и в других случаях (световая и электроннаямикроскопия), микрошлифы. Рельефмикрошлифа, получаемый при травлении, будетотражать структуру материала (рис. 1.2.43).Рис. 1.2.43. Скан поверхности пленки никеля,нанесенной на стеклянную подложку. Площадьскана 1×0,97 мкм, максимальная высотанеровности 48,64 нмИсследование рельефа на СТМ с высокимразрешением позволит выявить особенностипрежде всего субструктурного строения. Очевидно,что метод сканирующей туннельноймикроскопии откроет широкие возможностидля исследования дефектов кристаллическогостроения (вакансий, дислокаций и т.д.), различныхстроения (вакансий, дислокаций и т.д.), различных
