Апрель 15th, 2013
сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях, особенно на их раннихстадиях. Этот метод позволяет наряду с изучениемструктуры материала определить химическийсостав локальных зон поверхностногослоя объекта (СТМ-спектроскопия), т.е. онможет конкурировать с растровой электроннойм и кроскоп ией, м и крорснтгеноспектрал ьн ыманализом, превосходя последний по уровнюразрешения.С помощью СТМ возможно исследованиепленок металлов толщиной от 0,5 нм, дифракционныхрешеток (изготовленных методамимикроэлектроники и голографии), полупроводников,ферритовых головок, усталостныхтрещин в металлических материалах, углеродныхмикропористых фильтров, алмазоподобныхпленок, металлических монокристаллов,теплоизолирующих материалов наоснове спеченных кварцевых волокон, порошковыхматериалов, алмаза и других природныхкамней, фуллсренов и др. Эти исследования восновном связаны с выявлением структурыразличных материалов.Развитие микроскопии ближнего поляи расширение областей ее применения.Микроскопия ближнего поля — это методыисследования, принцип работы которых основанна использовании диафрагмы с малымРЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ 77отверстием, обеспечивающей излучение малогодиаметра, или зонда, расположенных близкок изучаемому объекту.Сканирующий туннельный микроскоптакже относится к приборам микроскопииближнего поля.Благодаря уникальным возможностямСТМ обеспечивает:неразрушающий характер анализа поверхностиматериала, обусловленный отсутствиеммеханического контакта образца с зондоми низкой энергией туннелирующих электронов;и низкой энергией туннелирующих электронов;