через который прошло излучение

через который прошло излучение. Математическиэто выражает закон ослабления интенсивностиизлучения слоем толщиной /:где / 0 и / , — соответственно интенсивностипадающего и прошедшего через материал излучения;ц — линейный коэффициент ослабленияРЛ, обратный толщине слоя, ослабляющегоинтенсивность в е раз. Величина ц зависитот химического состава материала, егоплотности и длины волны излучения.Так как ослабляется и выходящее (рассеянноеобразцом на глубине /) излучение, тотолщина анализируемого с помощью рентгеновскойдифракции слоя составляет примерноl/ц . Расчет показывает, что глубина анализируемогослоягде к = l / s i n a + l/sin 5 , что составляет (взависимости от материала, X и 9 ) от десятыхдолей до десятков микрометров.Интегральная интенсивность (мощностьрассеянных РЛ) дифракционного максимумазависит от интенсивности / 0 падающего пучка,его длины волны Х9 структуры кристалла(расположения атомов в элементарной ячейке)и облучаемого им объема V. Интегральнуюинтенсивность дифракционной линии (мощконусапри дифракции от поликристалла:(hkl) — кристаллографические плоскостиность отраженного потока) при съемке на дифрактометреполикристаллического объектабольшой толщины (/ > 5/ц) обычно записываютв виде произведения сомножителей — факторовинтенсивности для рефлексаH K L (Н = nh, К = n k ,L = и/, где п — порядокотражения):I HKL = k I ,tO ? F 2HKLp HKLA ( S ) l v l .(1.2.14)Здесь к — коэффициент; К — множитель,зависящий от угла 9 ; FHKL — структурныйфактор, зависящий от кристаллической структуры;фактор, зависящий от кристаллической структуры;