Июнь 18th, 2013
Пленки Nb3Ge с Тс = 23,2 К были приготовлены катодным распылением в инертном газе [119, 120].Величина Тс зависит и от степени порядка и резко уменьшается при разупорядочении атомов А и В [16, 21]. Отжиги в течение нескольких часов при температуре от 750 до 900 °С повышают сверхпроводящие свойства большинства материалов, что связывают с достижением максимальной степени порядка [15, 20, 22]. Предполагается, что Тс полностью упорядоченного Nb3Ge должна быть близка к 25 К.В структуре А15 атомы В образуют кубическую объемно-центрированную решетку, а атомы А расположены в ортогональные цепочках, параллельных главным осям кристалла. Расстояние между атомами в одной цепочке приблизительно на 10% меньше, чем расстояние между атомами чистых элементов Nb или V, что приводит к довольно высокой плотности состояний на поверхности Ферми. Предполагается, что разрушение цепочек как при разупорядочении, так и при отклонении от стехиометрии вызывает существенное уменьшение плотности состояний. Влияние разупорядочения было изучено посредством измерения теплоемкости при температурах выше Гс. Можно разделить решеточную и электронную теплоемкости и определить таким образом у и QD. Обнаружено, что разупорядочение слабо влияет на 0я и изменение Тс может быть связано с изменением у [23].Легко заметить, что разупорядочение атомов А и В вызывает нарушение цепочек А. Ясно, что отклонение от стехиометрии при избытке атомов В приводит к переходу части атомов В в цепочки А и вызывает их разрушение. Однако отклонение от стехиометрии чаще всего наблюдается в сторону избытка атомов А, и на первый взгляд целостность цепочек должна сохраняться.
