Июнь 18th, 2013
в котором температурная зависимость пиннинга учтена зависимостью #с2 от температуры. Зависимости с от h для всех температур обычно ложатся на одну кривую с характерной формой для каждого вида пиннинга.В следующем разделе систематизированы результаты, которые характеризуют микроструктурные особенности, ответственные за сильное пиннинговое взаимодействие. В разд. Д проводится краткое обсуждение теорий, предложенных для объяснения пиннинга, и различных соотношений между FP и В, предсказываемых ими, а также соответствия между теоретическими и экспериментальными результатами.Г. Микроструктура и пиннинг потокаИз приведенных выше рассуждений ясно, что высокие критические токи обусловлены сильными взаимодействиями, препятствующими движению флюксоидов. Задача создания таких препятствий хорошо знакома металлургам и сходна с проблемой приготовления механически прочных или магнитотвердых материалов. В упрочненных материалах движению дислокаций в кристаллической решетке препятствуют области с отличными от матрицы упругими свойствами. В магнитотвердых материалах движению стенок доменов препятствуют участки с отличными от матрицы магнитными свойствами. Есть основания предполагать, что и в сверхпроводниках с высокими критическими токами препятствиями для флюксоидов будут служить участки с отличными от матрицы сверхпроводящими свойствами.Природа и источник таких областей могут быть различными, но все они относятся к «нарушениям» регулярности кристаллической структуры матрицы. Нарушения, влияние которых в одном из направлений распространяется на расстояние, меньшее длины когерентности g, не играют роли, поскольку сверхпроводящие свойства не могут заметно изменяться на расстояниях, меньших g.
