Улучшенная конструкция криотрона показана на рис.

Улучшенная конструкция криотрона показана на рис. 5. Со временем стало ясно, что улучшить характеристики элемента можно за счет уменьшения размеров и использования технологии тонких пленок. Пленочный криотрон состоит из тонкой пленочной полоски олова или индия, которая может переводиться в нормальное состояние с помощью магнитного поля. Магнитное поле создается током, пропускаемым через изолированную управляющую шину. Первоначально подобные элементы изготавливались способом последовательного вакуумного напыления через металлические маски в течение одного цикла вакуумной откачки [4]. Эта технология ограничивает минимальную ширину получаемой пленки величиной 0,13—0,25 мм. Фотопроцесс позволяет получить значительно более узкие полосы [5].Много усилий было направлено на развитие криотронной сверхпроводящей электроники. Однако в середине 60-х годов криотроны стали уступать место транзисторам, работающим при комнатной температуре. Это объяснялось двумя основными причинами. Изготовители тонкопленочных криотронов использовали концепцию интегральных цепей. Будучи пионерами в этой области, они опережали свое время и потому встретились с множеством новых проблем. К настоящему времени полупроводниковая промышленность успешно решила многие (но не все) из этих проблем. Второй и, конечно, более важной причиной было то, что криотрон сам по себе уступал в работе лучшим образцам транзисторов.Открытие эффекта Джозефсона и прогресс в технологии изготовления интегральных цепей, не зависящий от развития технологии самих криотронов, изменили эту картину.