Август 11th, 2013
почти на два порядка меньше, чем для диффузионных процессов. Все это и приводит к протеканию превращения с очень большой скоростью. Вернее было бы сказать, что упоминавшееся выше стремление системы к превращению с максимальной скоростью и реализуется за счет указанных кинетических факторов, когда они могут себя проявить.Однако направленное перемещение атомов и сохранение когерентности, будучи фактором, способствующим большой скорости роста мартенситной «иглы», в то же время обусловливает и вторую особенность мартенситного превращения. Дело в том, что при этом вокруг мартен-ситного кристалла возникает поле упругих напряжений, и свободная энергия системы возрастает. Таким образом, общее изменение свободной энергии системы в этом случае будет состоять из уменьшения объемной свободной энергии и увеличения поверхностной энергии не только за счет образования поверхности раздела, но и за счет упругой энергии, т. е.При достижении кристаллом мартенсита определенного размера увеличение свободной энергии системы за счет третьей составляющей Е может скомпенсировать уменьшение объемной свободной энергии. Тогда рост мартенситного кристалла прекратится, и последний будет находиться в неустойчивом равновесии [94, 327]. В этом случае только понижение температуры может вызвать дальнейший рост кристалла за счет увеличения SFV; повышение же температуры и, следовательно, уменьшение kFv должно приводить к уменьшению кристалла. Такое явление действительно наблюдалось [328] в .некоторых алюминиевых бронзах, в которых его можно было экспериментально фиксировать.
