Апрель 15th, 2013
центральной части дифракционной картиныприменять меньшую экспозицию, чем для периферийной,и обе части снимать раздельно.Для более точного определения применяютсчетчики и фотоумножители с приспособлениямидля ослабления фона.Фазовый анализ заканчивается сопоставлениемвычисленных значений мсжплоскост-ных расстояний d hkl с табличными для предполагаемогосоединения. Как правило, табличныезначения — результаты рентгенографическогоанализа. Однако необходимо помнить онеполном соответствии значений межплоско-стных расстояний d hkt и интенсивности соответствующихдифракционных колец на электронограммахI hki , получаемых от дифракциирентгеновских и электронных лучей, обусловленныхразличной природой излучений и проявлениемэффектов, свойственных толькоэлектронным лучам. Одним из таких эффектовявляется преломление электронных пучков из-за внутреннего потенциала образца, проявляющеесяв дроблении пятен на электронограммахв направлении к краю тени для оченьгладких поверхностей и в появлении линийКикучи. Эта специфическая дифракционнаякартина может возникать из-за того, что когерентныедлины пучков электронов в кристалледостаточно велики и не создают линий, необходимыхдля наблюдения интенсивности.Несмотря на очень высокую абсолютнуючувствительность электронографии (можнополучить дифракционную картину от веществаполучить дифракционную картину от вещества
