Апрель 15th, 2013
эмитируемых твердыми теламипри облучении потоком монохроматическогоизлучения. Работу выхода (р определяют поформулеБолее точно (р определяют по зависимостифототока / от частоты электромагнитногоизлучения v :где h — постоянная Планка; к — коэффициент,характеризующий взаимосвязь поглощенияпадающего излучения и вероятность выходаэлектронов; v min — пороговое значение частотыизлучения, при котором возможен фотоэффект;Ф — табулированная функция.Эффективная глубина выхода фотоэлектроновхарактеризует толщину приповерхностногослоя (1...2 нм), исследуемогос помощью РФЭС.РФЭС применяют для измерения энергиисвязи электронов (точность определения составляет0,1 эВ) и для определения химическогосостава поверхности и приповерхностныхслоев посредством сопоставления определяемойэнергии связи электронов анализируемоговещества с известными энергиями связи длячистых элементов (относительная чувствительностьоколо 1 %, абсолютная 10-6 10-8 ги точность 5… 10 %).Послойный анализ в РФЭС с разрешением,близким к глубине выхода фотоэлектронов,осуществляют с помощью последовательнойионной бомбардировки или посредствомизменения углов падения рентгеновскогоизлучения и измерения фотоэлектронногопотока.В РФЭС используют фотоэлектронныеспектрометры, состоящие из источника электромагнитногоизлучения, энергоанализатора, коллектораизлучения, энергоанализатора, коллектора
