Апрель 15th, 2013
обычно применяемом напряжении (50...75 кВ)формула достаточно точна.Электронный пучок одним и тем же веществомрассеивается в 104 раз интенсивнее,чем рентгеновские лучи, и длины его волнзначительно меньше. Поэтому с помощьюэлектронографии можно получить сведения обобластях меньшего размера, чем при использованиирентгсноструктурного метода. Благодарятому, что электронография обладаетпринципиально большей разрешающей способностью,она является основным методоманализа кристаллической структуры и составаповерхностных слоев исследуемого материала(тонкие свободные пленки толщиной примернодо 100 мкм и поверхностные слои толщинойот 2 нм). Теория рассеяния электронов,основы электронно-графического анализа разработаныБ.К. Вайнштейном и З.Г. Пинскером.Дифракционные аппараты выпускаются вкомбинации с электронными микроскопамиили как самостоятельное оборудование — элек-тронографы ЭР-100, ЭМР-102.Главными узлами элсктронографа являютсяэлектронная пушка (под отрицательнымпотенциалом), система щелей, система линз,держатель образца, фотокамера и система ва-куумирования. В качестве источника электроновиспользуют вольфрамовую нить — горячийкатод, являющийся одним из трех электродовэлектростатической линзы — электроннойпушки. Скорость электронов определяетсяразностью потенциалов между катодом и анодом.разностью потенциалов между катодом и анодом.
