Апрель 15th, 2013
толщину тонкого покрытия ( h *« 1 0 _,...10° мкм), сформированного на поверхностилюбой подложки (в том числе иаморфной). Применение традиционных микроскопическихметодов в этом случае затруднено.Однако, если на поверхности подложкисформировано сплошное однородное покрытиетолщиной /?, то интенсивность отраженияH KL от негогде IftiHKL ~ интенсивность того же отраженияот «бесконечно толстого» покрытия тогоже состава, кристаллической структуры и текстуры(на самом деле толщина такого покрытияЛБТ > 10/цп ). В таком случае при съемкес фокусировкой по Брэггу — Брентано В качестве примера на рис. 1.2.53 приведеназависимость h от I h k l / e t h k l д д я п0‘крытия из TiN.Определить h из выражения (1.2.29)можно, если в тех же экспериментальных условияхизмерена величина /бтяах «бесконечнотолстого» покрытия или массивного образца(можно и порошкового). В том случае, когдаэкспериментальное определение I y h k lневозможно или в покрытии имеется явно выраженнаятекстура, или оно является монокристал-лическим, то измерение его толщины возможнопо отношению интенсивностей отражений разныхпорядков от покрытия. Измеряя, например,при симметричной съемкерассчитывая (или находя экспериментально)величину {IhKlII2H2K2l\i = с > как эт0указано выше для подложки, можно, используядля расчета обеих интенсивностей уравнениедля расчета обеих интенсивностей уравнение
