Апрель 15th, 2013
вида (1.2.28) рассчитать толщину h из(1.2.30):где все величины относятся к покрытию.Рис. 1.2.53. График для определения толщиныпленки TiN при съемке линии 111:1 — Fejhx-излучение; 2 — Си-излучение90 Глава 1.2. МЕТОДЫ И СРЕДСТВА ИССЛЕДОВАНИЯ СТРУКТУРЫ1.2.8. ЭЛЕКТРОНОГРАФИЯЭлектронография применяется для определенияструктуры анализируемого вещества иего идентификации.Сущность электронографического методазаключается в использовании явления дифракцииэлектронов, которое возникает в результатекогерентного рассеяния кристаллическойрешеткой пучка электронов (диаметром20…500 мкм), проходящего через тонкие слоианализируемого объекта, с образованием дифракционнойкартины (электронограммы).Электронография может рассматриваться каканалог рентгенографии при определении кристаллическойструктуры вещества, используяпри этом меньшее количество анализируемоговещества. Основным различием этих методовявляются длины волн применяемого излучения:около 0,1 нм в рснтгеноструктурном анализеи 0,005…0,007 нм в электронографии.Длина волны X электронного пучка можетизменяться в широких пределах с помощьюизменения ускоряющего напряжения всоответствии с формулойгде И — постоянная Планка; т — масса; е — зарядэлектрона; U — ускоряющее напряжение.При очень высоком напряжении необходимоучитывать релятивистскую поправку, а приучитывать релятивистскую поправку, а при
