Июль 30th, 2013
Электролизное молибденосилицирование проводят в расплавах системы JiaSi03—Na2Mo04 при 1000—1100° С [418, с. 180]. Более низкие и более высокие Клшературы насыщения практически неприемлемы. Плотность тока электролиза иедует поддерживать равной 0,15—0,2 Асм2. Продолжительность насыщения ыбирают исходя из требуемой толщины слоя. Влияние состава расплава при цектролизном молибденосилицировании в течение 3 ч на толщину слоя показано №>i рис. 264. С повышением температуры и длительности процесса толщина слоя Мсличивается (рис. 265). На армко-железе диффузионный слой представляет совой твердый раствор молибдена и кремния в а-железе (а-фаза) с поверхностными концентрациями молибдена и кремния 5—7,5 и 0,9—1,1% соответственно (рис. 266, а). На среднеуглеродистых сталях молибденосилицированный слой со стоит из двух зон: Мо2С и а-фазы. В слое на высокоуглеродистых сталях а-фаза практически отсутствует (рис. 266, б). На низкоуглеродистых сталях структур.! слоя определяется температурой процесса. При сравнительно низких температурах насыщения (980—-1050° С) на поверхности образуется тонкая корочка карбидаРис. 266. Микроструктура слоя на армко-железе (я) и стали У8 (б) после молибденосилицирования. Х320Мо (не более 10 мкм), а под ней — зона а-фазы. При 1100° С н выше на стали 20 слой состоит из а-фазы с включениями Мо2С и Fe7Mo6 [418, с. 180]. Углерод резко уменьшает толщину зоны а-фазы и несколько увеличивает толщину карбидной зоны.Жидкое молибденосилицирование проводят без наложения внешнего электрического поля: расплавы системы Na2Si03—Na2Mo04 восстанавливаются лю-Жидкое молибденосилицирование проводят без наложения внешнего электрического поля: расплавы системы Na2Si03—Na2Mo04 восстанавливаются лю-
