Июль 30th, 2013
Полная толщина а-фазы микроструктурио не обнаруживается.Обычно за толщину слоя принимают зону а-фазы, в которой выделились чбыточные кристаллы у-фазы. Дальнейшие поступления из внешней средыРис. 25. Зависимость изменения концентрации азота по толщине слоя h от продолжительности азотирования при температуре ниже эвтектоидиой [11]Чаще первые кристаллы у-фазы образуются в местах выхода границ зерен а раствора на поверхность. Поскольку пересыщение имеется только на поверхности, у-фаза образует сплошной слой, который с течением времени растет. Образование у-фазы приводит к скачкообразному повышению концентрации па величину, соответствующую ширине двухфазной области a + у в системе lse—N. Далее происходит диффузия азота от поверхности к границе раздела фаз у—а. Благодаря диффузии азота в у-фазе на границе раздела фаз в а-раст-поре будет сохраняться концентрация насыщения. В процессе диффузии слой у-фазы утолщается и фронт перекристаллизации а—у-у» перемещается в глубь тделня. Распределение концентрации азота по толщине слоя для этого периода формирования слоя отвечает кривой т3 иа рис. 25.По достижении предела насыщения в у-твердом растворе на поверхности образуются зародыши гексагональной е-фазы, устойчивой при более высоких концентрациях азота (см. рис. 25).Двухфазные области a -f- у и е -4- у образуются в процессе охлаждения при распаде а-, у- и е-фаз.Скорость диффузии азота в у-фазе в 50 раз ниже, чем в а-фазе. Энергия ак-шпацнп в у-фазе примерно в два раза больше, чем в а фазе.
