При газовом силицировании в среде Н2 + SiCl4 при 960

При газовом силицировании в среде Н2 + SiCl4 при 960—990 °С на сером чугуне получены прочно связанные с основой покрытия. Насыщение при 870— 930 °С приводило к образованию легко отслаивающихся от основы слоев [238, с. 77].Сложность используемого оборудования и технологии насыщения, взрыво-и пожароопасность некоторых способов газового силицирования, токсичностьЛ, МКМи агрессивность газов затрудняют широкое применение способов газового силицирования.80чСРнс.Г80.» Зависимость толщиныслоя h кремнистого феррита на стали 45J от состава расплава н плотности тока(после электролизного силицирования при1100 «С 1 ч [121 — 90% Na,SiO, + 10% NaF; 2 — 95% Na,SiO, + 5% NaF; 3 — 100% NasSiO,Важное влияние иа результаты электролизного силицирования оказывают состав расплава, температура и время насыщения, плотность тока (рис. 72, 80, 81). Повышение температуры процесса до 1100°С позволяет получать практически беспористые слои кремнистого феррита с высокой поверхностной концентрацией кремния. Активность расплавов для силицирования повышается при введении добавок фтористых или хлористых солей.Расплавы для жидкого силицирования с карборундом позволяют получать беспористые слои кремнистого феррита при 950—1050 °С. Расплавы с силико-кальцием или ферросилицием обладают более высокой насыщающей способностью. Наряду с кремнистым ферритом иа поверхности армко-железа 1000—1050 °С образуется пористая зона а-фазы (рис 82 и табл 72). Уступая электролизному силицированию в скорости формирования слоев, жидкий способ дает возможность получать беспористые, равномерные по толщине слои (рис. 83) на деталях сложной формы.