Июль 30th, 2013
![У средне- и высокоуглеродистых сталей н,1 поверхности](http://biochemical.com.ua/img/2.JPG)
У средне- и высокоуглеродистых сталей н,1 поверхности формируется карбидный слой, а под ним — зона а-твердого раствора. Карбидный слой, по данным спектрального анализа, содержит 2,8—3,0% Si.Электролиз целесообразно вести при плотности тока 0,3 Асм2. Температуру и продолжительность хромосилицирования можно выбирать с учетом данных рис. 255, 256.Жидкое безэлектролизное хромосилнцирование проводят в тех же расплавах, что и электролизное, но с добавкой восстановителя. В качестве последнего при хромосилицировании целесообразно использовать силикомарганец, кальциймаг-h, мкмниевые лигатуры, силикомишметалл и силикокальций. Восстановители вводят в расплав в виде гранул размером 0,3—1,5 мм в количестве ~10%.При одинаковом режиме насыщения скорость формирования хромосилици-рованного слоя при жидком и электролизном способах обработки примерно одинакова.На армко-железе слой представляет собой твердый раствор хрома и кремния в а-железе. На средне- и высокоуглеродистых сталях при высоких (1050—1100° С) температурах насыщения слой состоит из двух зон: карбидной (Cr, Fe)23 (С, Si)6 + + (Cr, Fe)7 (С, Si)3 и а-фазы. При низких температурах процесса (1000° С и ниже) слои состоят преимущественно из а-фазы; количество карбидной фазы в слое невелико, и она не образует сплошной зоны.Расплавы на основе моносиликата натрия трудоемки в приготовлении, поэтому нами предложен [525] расплав для хромосилицирования, не содержащий Na2Si03 (см. табл. 171). В качестве восстановителей Сг203 и Si02 используют карбид кремния, металлизированный кремний, силикокальций и силикомишметалл. Толщина и фазовый состав слоя зависят от соотношения Si02 : Cr203 и содержания силикомишметалла в расплаве (табл. 174). При Si02 : Cr203 = >70 : 30 преобладает насыщение кремнием. Смещения процесса в область силицирования можно также достичь увеличением содержания в расплаве силикомишметалла. Приведенный в табл. 171 расплав наиболее приемлем для практического использования.