..

.. 1 мкм. Оно позволяет изучатьизменение элементного состава (качественно)в поверхностном слое толщиной около0,5 мкм.Некоторые специальные источникиконтраста. Каналирование электронов. Периодичностьрасположения атомов в кристаллическихобъектах приводит к тому, что в зависимостиот ориентации кристалла по отношениюк зонду меняется эмиссионная способность.Это влияние заметно в слое толщинойне более 50 нм и проявляется в появлении наэкране ЭЛТ псевдо-Кикучи-линий — системыполос, расположение которых определяетсяориентацией кристалла, а их ширина — егосовершенством . Современные приборы по*В случае монокристаллического или крупнозернистогообразца.зволяют получить картины каналирования отучастка размером около 1 мкм, если в дополнениик сканированию по площади проводитсясканирование по углу, который зонд образует сучастком поверхности образца.Магнитный контраст позволяет наблюдатьдоменную структуру ферромагнитныхматериалов. Траектория движения ВЭ в значительнойстепени изменяется под действиемсилы Лоренца, поэтому домены с противоположнымнаправлением вектора магнитнойиндукции будут иметь различную яркость.Разрешение изображения магнитных доменовсоставляет несколько микрометров.Контраст потенциала. Траектория движенияВЭ, а значит их число, попадающее вдетектор, зависит от разности потенциаловмежду сеткой детектора и облучаемой зондомобласти образца. Если на поверхности образцапотенциал варьируется (как, например, в полупроводниковыхприборах), то меняется ияркость изображения, что позволяет изучатьяркость изображения, что позволяет изучать