эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * . ,где т — 9

эффекта;D * e 2 io i, (1.2.5)где= о * . ,где т — 9,1095* 10-31 кг — масса электрона; Ф -эффективный энергетический барьер системызонд-объект, Дж; h = l,05 10“j4 Дж с — постояннаяПланка.Туннельный ток экспоненциально зависитот расстояния между зондом и образцом.Расстояние L входит в показатель степениэкспоненциальной зависимости D от L [см.формулу (1.2.5)] и, соответственно, влияет назначение / т [см. формулу (1.2.4)]. Поэтому,например, при увеличении расстояния L толькона 0,1 нм показатель D и, соответственно,сила туннельного тока / т уменьшаются почтив 10 раз. Это обеспечивает высокую разрешающуюспособность микроскопа по высотеобъекта, поскольку незначительные измененияпо высоте рельефа поверхности вызываютсущественное увеличение или уменьшениесилы туннельного тока.При работе СТМ расстояние между объектоми зондом Z ,«(0,3…1) нм, поэтому вероятностьнахождения между ними молекулвоздуха при нормальных условиях очень мала,и считается, что протекание туннельного токапроисходит в вакууме. Окружающая средавлияет только на чистоту исследуемой поверхности,определяя химический состав адсорбционныхслоев и окисление ее активными газамиатмосферы.Устройство сканирующего туннельногомикроскопа. Структурная схема СТМ, работающегов режиме постоянного туннельноготока, представлена на рис. 1.2.42.Зонд перемещается в плоскости объектаX Y и перпендикулярно ей по оси Z с помощьютрех двигателей 7. Объект подводится к остриюзонда с помощью двигателя 2.От цифроаналогового преобразователяЦАП подаются напряжения U х и U Y на Х -,ЦАП подаются напряжения U х и U Y на Х -,