Апрель 15th, 2013
ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ 59тенсивность пучка / пр , рассеянного образцом:пр о (пучок, идущий за образцомпрямо вниз — см. рис. 1.2.26). Значит темменьше оказывается освещенность этого участкана светлопольном микроскопическом изображении,которое формируется проходящимпучком. Таким образом, яркость какого-либоучастка изображения в случае рассматриваемогоконтраста определяется ориентацией изучаемойобласти образца к падающему пучку. Поэтомудля анализа микроскопических изображенийнеобходимо знать эту ориентацию, т.е.всегда регистрировать не только микроскопическоеизображение участка объекта, но и картинумикродифракции (электронограмму) от него.Рис. 1.2.25. Схемы рассеяния электронов в зависимости от толщины объекта:1 — пучок электронов от осветительной системы микроскопа; 2 — объекты различной толщины; 3 — электроныпосле прохождения через объект; 4 — «выходной зрачок» объективной линзы и апертурная («объективная»)диафрагма; 5 — электроны, образующие изображение данного участка объекта на флуоресцирующем экране(фотопленке)Схема формирования изображения в режимедифракционного фазового контраста(прямое изображение кристаллической решетки)с участием двух или более пучков — прямогои дифрагированного или нескольких дифрагированных(см. рис. 1.2.26, б) — реализуетсятолько в ПЭМ с повышенной разрешающейспособностью (высокоразрешающий электронныймикроскоп) и при тщательной процедуреприготовления объекта и его установки вмикроскопе. Обычно же дифрагированныелучи, проходя через периферийную часть объективнойлучи, проходя через периферийную часть объективной
