Апрель 15th, 2013
микроскопа измеряется изменение емкости до10“22 Ф с полосой пропускания 1 Гц. Микроскоппозволяет изучать изменение потенциалавдоль поверхности образца бесконтактнымметодом.Световой микроскоп ближнего поля.Принцип ближнего поля — малой диафрагмы,поднесенной близко к рассматриваемому объекту,- дает возможность повысить разрешениемикроскопа.Максимальная разрешающая способностьсветового микроскопаd = X/ (2 A) , ( 1.2.8)где X — длина волны света; А — числовая апер-тура объектива.Для освещения объекта наиболее частоприменяют белый свет, длину волны которогоможно принять равной X * 550 нм. Максимальнаячисловая апертура, достигаемая припользовании иммерсии, составляет А = 1,44.В соответствии с условием (1.2.8) предельнаяразрешающая способность светового микроскопаd « 200 нм.Если освещать образец через диафрагмус диаметром D отверстия, намного меньшимдлины волны падающего света, и регистрироватьинтенсивность проходящего через объектили отраженного от него излучения, то размердиафрагмы будет определять разрешение прибора.Так, для D « 550 нм получено разрешениеоколо 500 нм, что существенно выше,чем у светового микроскопа.Расширение областей использованиямикроскопов ближнего поля происходит благодаряих применению для записи и воспроизведенияинформации. Все перечисленные вышеспособы получения изображения в принципемогут быть использованы для этой цели.В качестве элемента, несущего один бит информации,в зависимости от используемогомикроскопа могут выступать: искусственныйрельеф с минимальным размером элемента,рельеф с минимальным размером элемента,
