Апрель 15th, 2013
при изменении фокусного расстоянияпромежуточной линзы (от f до f i )уменьшением силы тока в обмотке линзы ивыведении апертурной диафрагмы. В режименаблюдения микроскопического изображения»в светлом поле» апертурная диафрагма устанавливаетсятак, чтобы пропустить прямойпучок и отсечь дифрагированные лучи (см.рис. 1.2.26, а). «Темнопольное» изображениеполучается, если диафрагма задерживает прямойпучок и пропускает дифрагированныелучи. Для кристаллического объекта с гетсро-фазной структурой в этом случае легко установитьсвязь каждого дифрагированного луча(пятна на электронограмме) с определеннымэлементом структуры объекта и таким образомопределить природу каждой фазы.Электрическая схема ПЭМ содержит двеосновные части: высоковольтную (U * 100 кВи выше) для питания электронной пушки инизковольтную для питания электромагнитныхлинз.Вакуумная система обеспечивает нетолько отсутствие разрядов в электроннойпушке, но и предупреждает загрязнение объектапродуктами конденсации в колонне микроскопа.Микроскоп может комплектоваться приспособлениямидля термического и механическоговоздействия на образец и исследованияобъектов «на месте» — при нагреве и охлаждении,а также при деформировании.Для размещения ПЭМ и его обслуживаниятребуется несколько помещений: одно сзатемнением для микроскопа, второе для фотоработи третье — для подготовки объектов.Приготовление объектов для ПЭМ.Главное ограничение применения ПЭМ в материаловедениисостоит в том, что из-за сильноговзаимодействия электронов с веществомвзаимодействия электронов с веществом
