Апрель 15th, 2013
разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного изображениярельефа поверхности;работу не только в вакууме, но и на воздухе.Однако область применения СТМ ограничиваетсяпроводящими объектами. Это ограничениесвязано с использованием эффектатуннелирования электронов для регистрирующего(сенсорного) и управляющего устройств.Использование сенсорных устройств, основанныхна других физических принципах, позволяетрасширить область применения микроскоповближнего поля с острием в качествезонда.Микроскоп атомных сил (MAC). В этоммикроскопе в качестве сенсора использованысилы отталкивания (примерно 10-9 Н), которыевозникают при приближении зонда к поверхностина межатомное расстояние и являютсярезультатом взаимодействия волновых функцийэлектронов атомов зонда и образца.Последнее достижение в этой области -лазерный силовой микроскоп который измеряетсилы отталкивания до 10-11 Н, на расстояниидо 20 нм, с разрешением порядка 5 нм. Такойинструмент удобен для исследования, например,неровностей поверхности элементов микросхемна всех этапах их изготовления.Микроскоп магнитных сил (ММС).В приборе использован принцип силового микроскопаближнего поля, где в качестве зондаприменяется намагниченное острие. Его взаимодействиес поверхностью образца позволяетрегистрировать магнитные микрополя и представлятьих в качестве карты намагниченности.Разрешение микроскопа составляет около 25 нмпри размере доменов около 200 нм.Микроскоп электростатических сил(МЭС). Острие и образец рассматриваются какконденсатор, а с помощью лазерного силовогоконденсатор, а с помощью лазерного силового
