Апрель 15th, 2013
С этим связаноограничение толщины объекта. Крометого, процессы поглощения, когда электронытеряют свою энергию, не только вызываютэффект хроматической аберрации, но и могутпривести к нагреву и изменению структурыобъекта и даже его разрушению.Схемы на рис. 1.2.25 иллюстрируют изменениеэффекта рассеяния электронов приувеличении толщины объекта. Таким же образомвлияет увеличение плотности объекта.Диафрагма, расположенная после объекта в»выходном зрачке» объектива, пропускает темменьше электронов, чем толще (или плотнее)объект. Это приводит к уменьшению яркостиизображения.На рис. 1.2.26 показаны схемы формированияизображения кристаллического объекта(светлопольного (рис. 1.2.26, а) и темнопольного(рис. 1.2.26, б)) без разрешения атомнокристаллическойструктуры — случай дифракционногоамплитудного контраста, которыйпозволяет различать области объекта, различающиесяпо своей кристаллической структуреили ориентации к направлению падающегопучка электронов, а также наблюдать такиедефекты кристаллического строения, как дислокации,дефекты упаковки, границы блоков изерен (без их внутренней структуры). Это объясняетсятем, что при рассеянии на кристаллическихобъектах интенсивность дифрагированногопучка / (пучок 2д) зависит от ориентацииучастка образца по отношению к падающемупучку электронов 1 с интенсивностью/ 0 . Чем ближе для каких-либо кристаллографическихплоскостей локальный уголпадения пучка с интенсивностью / 0 к углу,определяемому из уравнения Вульфа-Брэгга,тем больше / д , и следовательно, меньше инПРОСВЕЧИВАЮЩАЯтем больше / д , и следовательно, меньше инПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ
