Май 10th, 2013
пленок толщиной, сопоставимой и менееглубины выхода Оже-электронов, проводятсяпо специальным алгоритмам.Методы, используемые для послойногоанализа поверхности, зависят от того, являютсяли интересующие нас глубины сопоставимымиили существенно большими длины свободногопробега электронов, измеряемой отдесятков до сотен ангстрем. В первом случаенеобходимо учитывать экспоненциальныйхарактер ослабления интенсивности сигнала отглубины, что повышает точность определенияконцентрации элементов в тонких пленках.В том случае, когда исследуемые глубиныменьше длины пробега электрона (5,0 нм),используют приемы, в которых учитываютизменение интенсивности края поглощения сизменением кинетической энергии первичныхэлектронов. С ростом энергии первичныхэлектронов увеличивается информация поглубине. В противном случае широко применяютразрушающие методы анализа. Они связаныс ионным травлением или изготовлениемкосых микрошлифов.О ЭС высокого разрешения. Изменения вэлектронной структуре атомов существенновлияют на многие характеристики Оже-спскт-ров: на изменение энергетического положенияОже-линий, определяемого сдвигом остовныхуровней в атоме и связанного с изменениемего валентного состояния, на изменение формылинии, вызванное перераспределениемэлектронов в валентной зоне, на изменения вформе низкоэнергетической части фона вблизиформе низкоэнергетической части фона вблизи
