Июнь 18th, 2013
Важным параметром ячейки памяти является стабильность передачи тока. Такая стабильность достигается в основном критическим демпфированием цепи. На рис. 18 и 19 приведены экспериментальные результаты Заппе и рассчитанный процесс передачи тока в ячейку. На рис. 18 представлено решение уравнений процесса с учетом заданных конструктивных требований (см. рис. 13). Приведенные на рисунке точки получены экспериментально. Хотя имеется некоторый разброс, согласие между теорией и экспериментом удовлетворительное. Рис 19 показывает соответствующее процессу передачи тока напряжение, дающее значительно лучшее представление о характере заключительной стадии процесса. Между прочим, из рисунка видно, что, хотя размеры элемента велики (приблизительно 0,1 Х0,1 мм) и длина контура также велика, получено малое время переключения, составляющее около 600 пс.И наконец, на рис. 20 представлены результаты квазистатических испытаний ячейки памяти в реальных условиях, характеризующихся постоянным чередованием записи, стирания и считывания.V. ЗАКЛЮЧЕНИЕЭлементы описываемой здесь конструкции в настоящее время, как можно надеяться, поняты достаточно хорошо. Элементарные цепи, с которыми проводились эксперименты, также хорошо поняты и имеют преимущество в соотношении скорость переключения— рассеиваемая мощность перед полупроводниковыми цепями. При условии, что технология изготовления туннельных элементов останется конкурентоспособной с точки зрения разрешения по числу линий на 1 мм, преимущества в работе, существующие на уровне элементов, должны быть перенесены и на всю систему вычислительной машины. Так как техника нанесения тонкопленочных сверхпроводников в основном та же, что и применяемая в полупроводниковой технологии, улучшения в этой технологии, направленные на повышение разрешения по ширине линий, должны точно так же переноситься и на туннельные элементы Джозефсона. Вследствие схожести технологий (хотя имеются и очевидные различия, например создание окисной пленки радиочастотным методом) стоимость изготовления пакета туннельных элементов также не должна существенно отличаться от стоимости пакета, изготовленного посредством полупроводниковой технологии.
