15.04.2013 - Для достижения наилучшей разрешающейспособности пучок
Для достижения наилучшей разрешающейспособности пучок электронов фокусируютв точку в плоскости фотографическойпластинки или экрана, используя электромагнитныелинзы. Режим работы элсктронографаизменяют увеличением или уменьшением силытока в фокусирующих электромагнитныхлинзах. Элсктронограф может работать и какэлектронный микроскоп, позволяя получатьтеневые электронно-оптические изображения врасходящемся пучке....
15.04.2013 - обычно применяемом напряжении (50
обычно применяемом напряжении (50......
15.04.2013 - вида
вида (1.2.28) рассчитать толщину h из(1....
15.04.2013 - толщину тонкого покрытия ( h *« 1 0 _,
толщину тонкого покрытия ( h *« 1 0 _,......
15.04.2013 - покрытием толщиной h по сравнению с интенсивностьютого
покрытием толщиной h по сравнению с интенсивностьютого же рефлекса от подложки безпокрытия ( I hkl ):Маркастали А С п35 0,044 0,029 1,740Х 0,070 0,012 1,740ХН 0,055 0,029 1,5РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ 89где ц п - линейный коэффициент ослаблениямонохроматического излучения в покрытии;h - толщина покрытия; к = (l/sin а + l/sin 8) -геометрический параметр. Варьируя угол а(или 8, так как а + 8 = 20 ), можно добитьсятого, чтобы интенсивность отражения H KL отподложки стала равной интенсивности фона.Пусть это произошло при а = а 0 • Тогда:А = 3 / ( и Л ) ....
15.04.2013 - холодной высадке крепежных деталей к бракув виде V
холодной высадке крепежных деталей к бракув виде V-образных надрывов, трещин на головкахболтов или недопустимо большомуизносу высадочного инструмента.Определение толщины покрытий. Нанесениепокрытий на детали - один из наиболееэффективных путей повышения их эксплуатационныхсвойств....
15.04.2013 - интегральная интенсивностьлиний
где / 222 и Аоо “ интегральная интенсивностьлиний соответственно (222) и (200) феррита.Связь между описанными величинамиобъясняется тем, что штампусмость определяетсяв основном кристаллографической текстурой.Причем к благоприятным ориентировкамзерен параллельно плоскости листа относятбезусловно {111}, а к неблагоприятным -{100}....
15.04.2013 - параметров «тонкой кристаллическойструктуры» (ТКС
параметров "тонкой кристаллическойструктуры" (ТКС) D и е следует учитывать иаппаратурный (инструментальный) источникуширсния максимумов, связанный главнымобразом с расходимостью пучка РЛ и некоторымидругими факторами. Поэтому экспериментальноопределяется интегральная ширинапрофиля В, а не р - ширина "физического"профиля.Применение РСА для контроля технологическихпроцессов....
15.04.2013 - совокупности {hkl}, а непрерывно изменяющимсяот d
совокупности {hkl}, а непрерывно изменяющимсяот d 0 - A d m до d 0 + A d m, гдеAd m - усредненное по всему анализируемомуобъему максимальное изменение мсжплоскост-ного расстояния. Области с измененным d будут,в соответствии с (1.2....
15.04.2013 - Суть метода заключается в том, что дляплосконапряжснного
Суть метода заключается в том, что дляплосконапряжснного состояния деформациявдоль направления, составляющего с осямикоординат углы 1|/ и (р (рис. 1.2....
