15.04.2013 - оси которой X, Y и Z совпадают соответственнос векторами
оси которой X, Y и Z совпадают соответственнос векторами а, b и с. Тогда любой узелрешетки может быть охарактеризован векторомR„= //7j а + т 2Ь + /773с. Три числа т \, т 2 и w 3называют координатами узла....
15.04.2013 - решетка, представляющая собой трехмернуюпериодически
решетка, представляющая собой трехмернуюпериодически повторяющуюся системуточек (узлов решетки), совпадающих с центрамимасс ионов, которая характеризуется вопределенной системе координат шестью величинами:тремя некомпланарными осевымитрансляциями (периодами решетки) я, Ь, с итремя углами а , р, у между ними (рис. 1.2....
15.04.2013 - равным диаметру одного атома; магнитнаяструктура поверхности
равным диаметру одного атома; магнитнаяструктура поверхности ферромагнетика с минимальнымразмером, равным размеру магнитногодомена; неоднородность потенциалаили заряда.1.2....
15.04.2013 - микроскопа измеряется изменение емкости до10“22 Ф
микроскопа измеряется изменение емкости до10“22 Ф с полосой пропускания 1 Гц. Микроскоппозволяет изучать изменение потенциалавдоль поверхности образца бесконтактнымметодом.Световой микроскоп ближнего поля....
15.04.2013 - разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного
разрешение на атомном уровне;получение реального трехмерного изображениярельефа поверхности;работу не только в вакууме, но и на воздухе.Однако область применения СТМ ограничиваетсяпроводящими объектами. Это ограничениесвязано с использованием эффектатуннелирования электронов для регистрирующего(сенсорного) и управляющего устройств....
15.04.2013 - сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях
сегрегаций атомов, в том числе прифазовых превращениях, особенно на их раннихстадиях. Этот метод позволяет наряду с изучениемструктуры материала определить химическийсостав локальных зон поверхностногослоя объекта (СТМ-спектроскопия), т.е....
15.04.2013 - битов информации
битов информации. Зонд может использоватьсятакже и как точечный источник электроновдля осуществления электронной литографии,химических или структурных локальныхперестроек поверхности.При записи информации методом электроннойлитографии (нанолитографии) черезострие зонда пропускают кратковременнобольшой силы туннельный ток / т при повышеннойразности потенциалов С/, происходитэмиссия электронов или ионов с острия наповерхность объекта или наоборот, и образуютсяна поверхности ямки или впадины, которыенесут бит информации....
15.04.2013 - твердым телом — оксидной пленкой
твердым телом - оксидной пленкой.При больших толщинах пленки происходит’срыв" туннельного тока. Для большинстваметаллов толщина оксидных пленок начинаетпревышать 10....
15.04.2013 - - химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ
- химический состав поверхностного слояобъекта (СТМ-спсктроскопия). Для реализацииСТМ-спсктроскопии требуется свести до минимумауровень помех, т.е....
15.04.2013 - туннелирование идет из объекта)
туннелирование идет из объекта). По разностипотенциалов между иглой и образцом определяют,электроны какого энергетического уровняатомов иглы будут туннелировать и на какойэнергетический уровень атомов объекта.Следовательно, при заданной разностипотенциалов туннельный ток определяетсяплотностью электронных состояний материаловиглы и объекта....
